原來(lái)的產(chǎn)品將1個(gè)控制元件和4個(gè)功率元件共5枚芯片以平面排列的形式集成在封裝內(nèi)。除端子以外的封裝外形尺寸為31mm×16mm×5mm。而此次則通過(guò)采用層積2個(gè)功率元件的新技術(shù)，像2枚芯片一樣對(duì)4個(gè)功率元件進(jìn)行了封裝。然后再加上控制元件，將3枚芯片進(jìn)行了面排列封裝，這樣，除端子以外的外形尺寸便減小到了17mm×7.5mm×1.8mm。

    此次在功率元件方面采用了發(fā)熱量比原來(lái)的MOSFET低的IGBT。對(duì)于HID燈的發(fā)光物質(zhì)，出于環(huán)保目的，目前出現(xiàn)了用氙氣代替水銀的趨勢(shì)。不過(guò)，采用氙氣時(shí)容易出現(xiàn)發(fā)光效率降低的問(wèn)題，因此要想啟動(dòng)車(chē)燈就需要更大的電流。而隨著電流的增大，功率元件就會(huì)產(chǎn)生大量熱量，散熱成為亟急解決的課題。此次通過(guò)在使用IGBT減少發(fā)熱的同時(shí)，為了使燈框本身直接起到散熱器的作用，使用了將燈框暴露在外的散熱性出色的封裝。

    樣品價(jià)格為1000日元。將于2007年10月轉(zhuǎn)入月產(chǎn)1萬(wàn)個(gè)的量產(chǎn)。計(jì)劃2010年秋季擴(kuò)大到月產(chǎn)20萬(wàn)個(gè)的規(guī)模。